Número de Producto del Fabricante:
TSM60NB099PW C1G
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM60NB099PW C1G-DG
Descripción:
MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 38A (Tc) 329W (Tc) Through Hole TO-247
Inventario:
2055 Pcs Nuevos Originales En Stock
12895733
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ENVIAR
TSM60NB099PW C1G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
38A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
99mOhm @ 11.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2587 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
329W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
TSM60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
25
Otros nombres
TSM60NB099PWC1G
TSM60NB099PW C1G-DG
-2068-TSM60NB099PWC1G
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXFX48N60P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXFX48N60P-DG
PRECIO UNITARIO
11.94
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IXTH32N65X
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXTH32N65X-DG
PRECIO UNITARIO
5.96
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
TSM60NB099PW
FABRICANTE
Taiwan Semiconductor Corporation
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
TSM60NB099PW-DG
PRECIO UNITARIO
8.01
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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